特 許
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(1) 発明の名称：超高速電子回折装置
国際出願番号：PCT/JP2011/051350
国際出願日：平成23年1月25日
国際公開番号：WO2011/093285
国際公開日：平成23年8月4日
発明者：時田茂樹、橋田昌樹、阪部周二
国名：日本（優先権主張国）
出願人：国立大学法人京都大学
(2) 発明の名称：光ファイバ冷却装置
出願番号：特願2009-22522
出願日：平成21年2月3日
公開番号：特開2010-182726
公開日：平成22年8月19日
発明者：村上政直、時田茂樹、橋田昌樹、阪部周二
出願人：国立大学法人京都大学,三星ダイヤモンド工業株式会社
国名：日本
(3) 発明の名称：光増幅器
出願番号：特願2009-550012
国際出願番号：PCT/JP2009/050302
国際出願日：平成21年1月13日
国際公開番号：WO2009/090935
国際公開日：平成21年7月23日
発明者：時田茂樹、橋田昌樹、阪部周二
出願人：国立大学法人京都大学
国名：日本（優先権主張国）
(4) 発明の名称：スルーホール形成体およびレーザー加工方法
出願番号：特願2006-140967
出願日：平成18年5月20日
公開番号：特許公開2007-307599
公開日：平成19年11月29日
発明者：三島英彦、奥田泰弘、阪部周二、橋田昌樹、清水政二
出願人：国立大学法人京都大学,住友電気工業株式会社
国名：日本
(5) 発明の名称：レーザーアブレーションによる加工方法と前記加工方法により加工された材料
出願番号：特願2005-58180
出願日：平成17年3月2日
公開番号：特許公開2006-239730
公開日：平成18年9月14日
発明者：三島英彦、増田泰人、奥田泰弘、綿谷研一、阪部周二、橋田昌樹、清水政二
出願人：国立大学法人京都大学,住友電気工業株式会社
国名：日本
(6) 発明の名称：固体試料の表面改質方法、不純物活性化方法、半導体装置の製造方法
出願番号：特願2004-134000
出願日：平成16年4月28日
公開番号：特開2005-317767
公開日：平成17年11月10日
発明者：節原裕一、橋田昌樹、藤田雅之
出願人：独立行政法人科学技術振興機構
国名：日本
(7) 発明の名称：レーザー照射方法及び装置、微細加工方法及び装置、並びに薄膜形成方法及び装置”
出願番号：特願2004-20536
出願日：平成16年1月28日
公開番号：2005-212013
特許番号：4644797
登録日：平成22年12月17日登録
発明者：阪部周二、高野幹夫、橋田昌樹、清水政二
出願人：国立大学法人京都大学
国名：日本
(8) 発明の名称：金属密着面表面処理方法及びその装置
出願番号：特願2003-160075
出願日：平成15年6月4日
公開番号：特許公開2004-360012
公開日：平成16年12月24日
発明者：橋田昌樹、藤田雅之
出願人：財団法人レーザー技術総合研究所
国名：日本
(9) 発明の名称：金属摺動面表面処理方法及びその装置
出願番号：特願2003-160074
出願日：平成15年6月4日
公開番号：特許公開2004-360011
公開日：平成16年12月24日
発明者：橋田昌樹、藤田雅之
出願人：財団法人レーザー技術総合研究所
国名：日本
(10) 発明の名称：光学媒質の光入出射部処理方法
出願番号：特願2003-149918
出願日：平成15年5月27日
公開番号：特許公開2004-354535
公開日：平成16年12月16日
発明者：田中健一郎、久保雅男、藤田雅之、橋田昌樹
出願人：松下電工株式会社, 財団法人レーザー技術総合研究所
国名：日本
(11) 発明の名称：レーザー加工装置およびレーザー加工方法
出願番号：特願2003-70817
出願日：平成15年3月15日
公開番号：特許公開2004-279725
公開日：平成16年10月7日
発明者：藤田雅之、橋田昌樹、宮永憲明、椿本孝治
出願人：独立行政法人科学技術振興機構
国名：日本
(12) 発明の名称：電磁波による研磨、研削、切断用素材及びその製造法
出願番号：特願2003-21443
出願日：平成15年1月30日
公開番号：特許公開2004-230507
公開日：平成16年8月19日
発明者：橋田昌樹、藤田雅之、新崎優一郎
出願人：財団法人レーザー技術総合研究所、日本ユニット株式会社